igbt测试系统
作者：西安谊邦电子科技有限公司时间：2012-02-22 我要发布
YB580大功率IGBT全直流参数自动测试系统
1、系统简介
我公司科研人员经过连续技术攻关, 在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上, 自行研发出国内首台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在IGBT半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际领先水平。
目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构, 主极电流100A/200A/400A/500A/700A/1000A/1250A可选。
该产品可测试IGBT参数包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,r CE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证0.5%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品领先水平。
可以扩展测试其他半导体分立元器件。
2、主极参数
1）、主极电压：0--2000V
2）、电压分辨率：1mV
3）、主极电流：0---50A
电流向上可扩展到： 100A, 200A, 400A, 500A ，700A, 1000A， 1250A。
4）、电流分辨率：1nA 加选件YB550分辨率为1pA
5）、电流精度：1%+10nA+20pA/V
6）、测试速度：0.5MS/参数
3、绝缘栅大功率晶体管IGBT测试仪参数及精度
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电参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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ICES IGESF IGESR |
0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)（2） |
100nA(100pA)（1） - 50mA 100nA(100pA)（1）- 3A |
1nA(50pA)（1） |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1） |
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BVCES |
0.1V-1000V- 1400V - 1600V |
100μA - 200mA -100mA -50mA |
5mV |
1%＋100mV |
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VGETH |
0.10V- 20.0V(80V)（2） |
100nA- 3A |
5mV |
1%+10mV |
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VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数) |
VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V |
IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A |
5mV |
V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA |
（1） 需要YB550选件
（2） 需要栅极80V选件
该IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征, 根据用户需要提供4/ 8/ 20单元扫描测试适配器, 从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比, 该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试, 具有更高的使用效率。与国外同类产品相比, 该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。
