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功率器件静态测试系统产品简介功率器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，u级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是CNAS认可实验室，属于大功率器件测试服务中心。长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人
瑞士LEMSYS替代品易恩IGBT动态参数测试仪EN-2020A半导体器件动态参数测试系统系统概述基础规格
美国ITC替代品易恩大功率IGBT静态测试仪EN-3020CIGBT静态参数测试系统系统概述EN3020C测试系统（以下简称系统）是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统，该系统符合国*标GJB128-86和国家标准GB/T4587-94测试规范。系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及
西安厂商直供雪崩耐量测试仪ENX2020雪崩耐量测试系统概述向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中
美国STI替代品易恩半导体分立器件测试系统EN-2005B功率器件综合测试系统系统特征测试范围广（19总大类，27分类）升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A采用脉冲测试法，脉冲宽度为美*标规定300uS被测器件引脚接触自动判断功能
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