BW-IFSM/ITSM半导体浪涌测试系统产品用途：BW-IFSM/ITSM可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪

BW-IFSM/ITSM二极管浪涌测试系统产品简介：可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不

BW-UIS-3500半导体雪崩耐量测试仪BW-UIS-3500半导雪崩能量测试系统是专门设计测试IGBT、二极管、SiC系列MOS管的测试设备，该设备主要组成单元有：泰克示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率器件、IGBT器件过压、过流保护电路、计算机程控系

华科智源-二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。半导体器件在工作时，有时要承受较大的冲击电流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌电流的能力也不同，为了检测器件承受浪涌电流的能力，可产生一个大的浪涌电流施加于被测器件

ENL3010浪涌测试仪系统概述：本系统通过电容充放电产生电流波，结合测试系统上位软件，设定好不同的测试条件，再通过调节不同的电感值来得到需要的电流脉宽，最后输出测试要求的电流值，本系统可以测试浪涌电流，阻断漏电流，阻断电压，容压等多个参数，测试功率大，集成化程度高，广泛应用在各个

西安厂商直供大功率浪涌测试仪ENL3010浪涌测试系统系统概述ENL3010浪涌测试系统，设备可输出17.7mS、80kA的电流，对被测器件进行浪涌电流试验；浪涌电流测试系统西安易恩电气ENL3010浪涌测试系统，该测试台通过电容充放电原理产生电流波形，根据不同的测试条件，设定好各试验参数，再通