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BSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DN2BSM100GAL120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCKBSM100GB120DN2BSM100GB120DN2KBSM100GB170DLCBSM100GB170DN2BSM100GB60DLCBSM100GD120DLCBSM100GD120DN2BSM100GD60DLCBSM100GP60BSM10GD120DN

FF450R17ME4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.3Ton(us) 0.26Toff(us) 1.0Rth(j-c),K/W 0.06Pc(W) 2500封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要：DC/AC优化的热阻案件散热器最高的功率密度紧凑型逆变器设计优点：紧凑型模块容易和最可靠的组

FZ600R12KE4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) -Ton(us) -Toff(us) -Rth(j-c),K/W -Pc(W) -封装 62mm电路结构 半桥典型应用：大功率变流器电机传动UPS系统风力发电机电气特性：提高工作结温Tvjop低开关损耗坚固VCEsat带正温度系数

FS150R12KT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 150封装 EconoPack3电路结构 六单元性能概要：高功率密度成立的Econo模块概念集成温度传感器低杂散电感模块设计符合RoHS标准的组件优点：紧凑型模块优化客户的开发周期和成本配置灵活性目标应用：电机控制

FF600R17ME4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 600Vces(V)1700封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要：采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTC电气特性：高电流密度低VceastTvjop=150℃Vceast带正温度系数机械特性：高功率密度绝缘

专业代理《英飞凌》IGBT模块|可控硅模块;德国西门子（EUPEC）英飞凌IGBT模块、优派克超大功率IGBT模块(1200V/1600V/2500V/3300V/6500V系列)英飞凌IGBT模块型号(1单元)IGBT技术指标600V半桥(2单元)英飞凌IGBT模块产品型号参数说明封装形式BSM50GB60DLC50A,600V,IGBT234mm

德国英飞凌igbt模块bsmke3kt3kf4系列BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC

FF100R12RT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 100Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.15Toff(us) 0.4Rth(j-c),K/W 0.27Pc(W) 555封装 34mm电路结构 半桥性能概要：提高工作温度TVJop低开关损耗低V（CESAT）T（VJOP）=150℃V（CESAT）具有正温度系数隔离底板标准

FZ800R33KF2C技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 800Vce(sat),Max(V) 4.25Ton(us) 0.28Toff(us) 1.55Rth(j-c),K/W 0.013Pc(W) 9600封装 IHV130mm电路结构 一单元性能概要：高可靠性和坚固的模块结构优点：紧凑型逆变器设计的高功率密度标准外形目标应用：电机控制

FF1400R12IP4技术参数：Ic(A),Tc=80℃： 1400Vce(sat),Max(V)：2.05Ton(us)： 0.21Toff(us)： 0.97Rth(j-c),K/W： 0.0195Pc(W):7650封装: PrimePACK3电路结构: 半桥典型应用 辅助逆变器 大功率变流器 电机传动 牵引变流器 UPS系统 风力发电机 电气

FF450R12KT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.062Pc(W) 2400封装 62mm电路结构 半桥性能概要：频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C（最大150C）降低了

英飞凌IGBT模块FZ2400R17HP4_B9电厂西门子变频器西门子变频器配件FZ2400R17HP4_B9北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HP4_B9电厂西门子变频器IGBTIGBT是什么？IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式

FF600R12ME4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) 2.1Ton(us) 0.18Toff(us) 0.5Rth(j-c),K/W 0.041Pc(W) 3650封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要：低V（CESAT）T（VJOP）=150℃V（CESAT）具有正温度系数高功率密度隔离底板标准外形优点：

英飞凌IGBT模块FF600R17ME4，北京晶川现货支持。VCES=1700VICnom=600A/ICRM=1200A典型应用TypicalApplications大功率变流器Highpowerconverters风力发电机Windturbines电气特性ElectricalFeatures高电流密度Highcurrentdensity低VCEsatLowVCEsa

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