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FF300R12KS4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 300Vce(sat),Max(V) 3.75Ton(us) 0.11Toff(us) 0.55Rth(j-c),K/W 0.064Pc(W) 1950封装 62mm电路结构 半桥性能概要：高短路能力，自我限制短路电流低开关损耗无可比拟的耐用性V（CESAT）具有正温度系数CTI400高漏电距
英飞凌infineon(EUPEC)IGBT模块和单管DN2系列BSM50GB120DN2，BSM100GB120DN2K，S4系列FF100R12KS4，FF150R12KS4，FF200R12K
英飞凌二极管英飞凌快恢复二极管英飞凌MOSFET英飞凌MOS管英飞凌场效应管Infineon二极管Infineon快恢复二极管InfineonMOSFETInfineonM
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