FF600R12ME4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) 2.1Ton(us) 0.18Toff(us) 0.5Rth(j-c),K/W 0.041Pc(W) 3650封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要：低V（CESAT）T（VJOP）=150℃V（CESAT）具有正温度系数高功率密度隔离底板标准外形优点：

FF450R12KT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.062Pc(W) 2400封装 62mm电路结构 半桥性能概要：频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C（最大150C）降低了

华科智源，致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子相关的大功率分立器件测试仪、IGBT测试仪、变流器IGBT测试仪，牵引系统IGBT测试仪，半导体参数图示仪、IGBT动态参数测试仪、MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪等功率半导体测试设备.华科智源大功率IGBT模块测

在线式IGBT测试仪-华科智源HUSTEC-1600A产品是主要针对半导体功率器件的静态参数测试而开发设计。通过DUT适配器的转换，可实现对各种封装形式的IGBTs，MOSFETs，DIODEs等半导体器件的静态电参数测试，包括器件、模块以及DBC衬板和晶圆。设备融入了自动化及智能化的设计理念及功能，支持批量上下料并

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为德国英飞凌公司定制的tq、Qranddv/dt检测设备该测试设备适用于高电压,大电流的半导体器件测试,是**上同类产品的**高水平。该设备可以测试晶闸管、整流管关断时间tq、反向恢复时间Qr、电压上升率dv/dt、自动热稳态压力实具。晶闸管、整流管是**传统、**常见的电力半导体器件,我公司研制开

为国家电网定制-IGBT静态参数测试系统一、西安精华伟业IGBT静态测试系统概述IGBT静态测试参数系统采用计算机控制系统用来发送运行指令以及采集测试数据，然后进行计算处理并显示测试结果；PLC控制系统在接到计算机发出的运行指令后控制断开相关的安全控制开关后，并控制测试夹具和安全门动作之后发

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雪崩能量测试台功能指标:配置测试范围测试参数条件范围

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u主要参数及特点：u*IGBT静态测试设备特征u针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统u大功率(IV**可主广展至4500A、6000V)u自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)u计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEl格式存储u采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等

EUPEC可控硅，晶闸管北京北整科瑞电器公司电话010-65403561传真010-65403562T1218N20TOFT1218N22TOFT1218N24TOFT1218N26TOFT1218N28TOFT1219N20TOFT1219N22TOFT1219N24TOFT1219N26TOFT1219N28TOFT1329N18TO

西安厂商直供功率循环测试ENG1220IGBT功率循环测试系统概述易恩电气ENG1220IGBT功率循环测试系统测试方法符合GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007及GB4023-83等相关标准。IGBT功率循环测试设备，是IGBT测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1.该测试系统是一套动态综合的测试系统，测试参

瑞士LEMSYS替代品易恩IGBT动态参数测试仪EN-2020A半导体器件动态参数测试系统系统概述基础规格

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ENJ30200IGBT静态参数测试仪系统特征：●针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统●大功率（IV最大可扩展至4500A、6000V）●自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）●计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储●采用品牌工控机，具有抗电磁干

FZ900R12KE4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 900Vce(sat),Max(V) 2.1Ton(us) 0.26Toff(us) 0.66Rth(j-c),K/W 0.035Pc(W) 4300封装 62mm电路结构 一单元性能概要：低开关损耗无可比拟的耐用性V（CESAT）具有正温度系数低V（CESAT）4KVAC1分钟绝缘CTI400高爬

FZ600R12KE4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) -Ton(us) -Toff(us) -Rth(j-c),K/W -Pc(W) -封装 62mm电路结构 半桥典型应用：大功率变流器电机传动UPS系统风力发电机电气特性：提高工作结温Tvjop低开关损耗坚固VCEsat带正温度系数