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IGBT模块等关键元器件采用国际顶级优质产品——牵引级IGBT模块,较普通的IGBT模块具有更高的耐压和抗冲击性,可靠性更高。保证RHVC产品的世界级优良品质。高品质的器件是高质量产品的基石。
特点:混合集成型IGBT驱动器,可应用于任何需要栅极放大驱动的场合,通过高速光耦实现功率半导体器件与控制电路之间的安全电气隔离,开关频率高达20KHZ,内建短路保护与故障输出、过流故障时输出软关断及定
温馨提示:本公司为一般纳税人,可开17%增值税,统一社会信用代码91350524M0000J117N注意:采购为型号为准,图片参考,市场价格不稳定,价格当天报价为准确,其他型号或者下单前,先联系我公司客服在确定下单。DYNEX丹尼克斯IGBT模块DIM800ECM33-F076全新原装主营:IGBT模块.IGB
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核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产,公司产品主要有:MOSFET参数测试设备:静态参数测试(包括IGSS/BVR/VDS(Sat)/IDSS/VGSTH/VF/RDS(on));动态参数(开通关断/反向恢复/短路/安全工作区)测试(包括Turn_onoff/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等);雪崩能
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核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产,公司产品主要有:MOSFET参数测试设备:静态参数测试(包括IGSS/BVR/VDS(Sat)/IDSS/VGSTH/VF/RDS(on));动态参数(开通关断/反向恢复/短路/安全工作区)测试(包括Turn_onoff/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等);雪崩能
FZ800R33KF2C技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 800Vce(sat),Max(V) 4.25Ton(us) 0.28Toff(us) 1.55Rth(j-c),K/W 0.013Pc(W) 9600封装 IHV130mm电路结构 一单元性能概要:高可靠性和坚固的模块结构优点:紧凑型逆变器设计的高功率密度标准外形目标应用:电机控制
FF1400R12IP4技术参数:Ic(A),Tc=80℃: 1400Vce(sat),Max(V):2.05Ton(us): 0.21Toff(us): 0.97Rth(j-c),K/W: 0.0195Pc(W):7650封装: PrimePACK3电路结构: 半桥典型应用 辅助逆变器 大功率变流器 电机传动 牵引变流器 UPS系统 风力发电机 电气
FF450R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.062Pc(W) 2400封装 62mm电路结构 半桥性能概要:频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C(最大150C)降低了
FF450R17ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.3Ton(us) 0.26Toff(us) 1.0Rth(j-c),K/W 0.06Pc(W) 2500封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:DC/AC优化的热阻案件散热器最高的功率密度紧凑型逆变器设计优点:紧凑型模块容易和最可靠的组
BSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DN2BSM100GAL120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCKBSM100GB120DN2BSM100GB120DN2KBSM100GB170DLCBSM100GB170DN2BSM100GB60DLCBSM100GD120DLCBSM100GD120DN2BSM100GD60DLCBSM100GP60BSM10GD120DN