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平板型等离子增强化学气相淀积系统

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商品信息
产品代码 产品描述 设备用于2”~6”硅片淀积SiO2、Si3N4等工艺。 产品产地 北京 产品商标 产品名称 平板型等离子增强化学气相淀积系统(PECVD) FOB单价 最低订货量 1台 FOB地点 北京 交货期限 3~6个月 产品详细描述 1.设备除装卸片方式为手动外,控制微机对工艺过程及全部参数自动控制。 2.具有良好的工艺性能,使用范围广泛。 产品选型详见订货须知。   主要指标 结构形式:平板型 装片能力:φ50mm 19片 反应室极限真空度:≤0.67Pa 工艺压强范围:13.3~266Pa 淀积温度:200~450℃ 温度精度:±2℃(φ200mm内) RF电源:13.56MHz 500~600W 生长速度:氮化硅 50~150埃;氧化硅 100~300埃 膜厚均匀性:片内 ≤±3% 片间 ≤±3% 批间 ≤±3%