第三代晶闸管模块,性能优且稳,国际领先。
一、特点
·单向导电性指标,“漏电流”只及标准的1/200且长期稳定。
·高级DBC底板使模块工作寿命指标,承受冷热冲击次数至少高过标准10倍(氧化铝DBC底板为5倍)。
·散热能力最强,同等条件温升最低,避免快速热老化击穿。
·浪涌电流为额定值的19~42倍(标准16倍)。
·电压临界上升率高 dv/dt≥1000v/μs,不易误触发。
·额定电流3~4倍(标准为1倍)时,管压降只有1.2~1.7V。
·配上瞬态衰减器,可承受4KV脉冲群、浪涌过电压,避免快速电老化击穿,耐压无须超过1600V。
它以前太贵,工艺新突破使工业级产品的价格降到与国产可控硅模块差不多,便于普及应用。