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BW-IFSM/ITSM
二极管浪涌测试系统
产品简介：
可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏，以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围，轻者引起元件性能变坏（如伏安特性、通态峰值电压的变化）
技术指标：
> 浪涌电流（IFSM/ITSM）调节范围：0.30～3.60kA
> 分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA
> 电流波形：正弦半波，底宽10ms
> 测试频率：单次
> 反向电压（VRRM）调节范围：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％
> 反向电压测试频率：50Hz；
> 反漏电流（IRRM）测试范围；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA
工作方式：
> 由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值
> 按测试按键后设备自动完成测试
外形尺寸：
> 600×800×1900×1（宽×深×高×并柜数，单位：mm）
系统说明：
> 上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具”。该“夹具”用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。
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半导体测试设备，功率器件可靠性测试，雪崩浪涌测试，半导体静态动态测试系统，GaN/SiC器件测试 |
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