英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9

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西门子S120变频器配件 IGBT模块 驱动板 电容 PLC模块 二极管

IGBT

IGBT是什么？

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比 --北京京诚宏泰科技有限公司

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

• 优点：热稳定性好、安全工作区大。
• 缺点：击穿电压低，工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

• 特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

• IGBT的典型应用

   

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

  产品详细参数：

  规格

   

  
  

  产品属性	属性值	选择属性
  制造商:	Infin
  产品种类:	IGBT 模块
  RoHS:	N
  产品:	IGBT Silicon Modules
  配置:	Triple Common Emitter Common Gate
  集电极—发射极电压 VCEO:	1.6 kV
  集电极—射极饱和电压:	3.5 V
  在25 C的连续集电极电流:	1.8 kA
  栅极—射极漏泄电流:	600 nA
  Pd-功率耗散:	11 kW
  封装 / 箱体:	IHM190
  工作温度:	- 40 C
  工作温度:	+ 125 C
  商标:	Infin Technolo
  高度:	38 mm
  长度:	190 mm
  栅极/发射极电压:	20 V
  安装风格:	SMD/SMT
  产品类型:	IGBT Modules
  工厂包装数量:	1
  子类别:	IGBTs
  技术:	Si
  宽度:	140 mm

   

  FF400R12KL 4C

  FF600R 12KF4

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  FZ2400R12KF4

  FZ2400R12KL4C

  北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9

  绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated-gate bipolar transistor)在现代电力电子技术中应用广泛，在某些单个器件性能达不到设计要求的工作场合，IGBT的并联使用成为一种经济可行的方法。多模块IGBT并联应用可以简化电路结构，增大变流器输出功率，提高装置功率密度。IGBT并联应用过程中，器件本体的动、静态特性及结温的差异，驱动电路结构及功率回路不对称性，伴随IGBT长期使用出现的老化或失效等问题，都会引起并联IGBT支路电流的不均衡，影响系统的可靠性和稳定性。对国内外IGBT并联应用所关注的研究热点进行了调研分析总结了IGBT并联动、静态电流不均衡产生的原理及影响，分析了电流均衡控制原理的差异。从功率回路均流控制和驱动回路均流控制两个方面，对IGBT并联应用均流控制的工作特峰性进行了分析总结和技术对比，并对IGBT并联均流技术的发展方向进行了展望。

  

  FZ2400R12KE3 B9

  FZ2400R12KE3_ B9_ S1

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  北京京诚宏泰科技有限公司

  随着现代电力电子产业的迅速发展，大功率电能变换系统对电流容量的需求日益提升。单个绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated-gate bipolar transistor)器件因其材料特性和制作工艺的约束，通流能力已接近正常应用的极限，进而无法满足更大电流容量的应用需求。考虑到系统成本、驱动电路复杂性和硬件结构的简化，多个IGBT直接并联应用成为一种提升变流系统传输容量的有效方法[1]。多个IGBT并联运行时，功率回路结构是否对称，驱动信号是否一致，各并联IGBT的特性参数以及结温变化是否趋近，都会影响其处于通态和开关瞬态时集电极电流的一致性，即引发IGBT静态和动态的不均流问题[2]。因此，确保各并联支路IGBT静态和动态电流的均衡是IGBT并联应用的关键。
  

  
  

   

  静态不均流主要指各并联IGBT在通态时由于输出特性和结温的差异及支路阻抗的不一致，使得负载电流在各并联IGBT上的分布不均衡；动态不均流主要指各并联IGBT开通和关断过程开始的时刻以及对应过程中，集电极电流变化速率的不一致致使部分IGBT承受较大的电流应力。为抑制并联IGBT间的不均流现象，国内外研究者提出了不同的均流控制方法，按照均流控制的路径，这些方法可分为功率回路均流控制和驱动回路均流控制两类。功率回路均流控制主要通过调整功率回路结构或引入额外的阻抗以及利用热网络分析改善硬件设计，进而增强并联IGBT间或IGBT内部芯片间的电热参数的一致性，或尽可能弱化参数不一致所带来的影响；驱动回路均流控制主要通过采用一定的辅助电路及控制策略，调整门极的控制信号进而间接影响IGBT的集电极电流特性。

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  FF600R12KE3

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  FZ1 200R12HE4

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  FZ1800R12HE4_ B9

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  北京京诚宏泰科技有限公司

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