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半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准,用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出
超高精度:温度(T;)分辨率0.01℃℃,1MHz变频采样:
技术领先:第三代瞬态热测试技术,可输出结构函数进行热结构分析
行业领先:具备4路高速高精度采集模块,采样速度,精度均达到行业顶尖水平
架构领先:采用B/S架构控制系统、可远程对设备进行状态监控和控制,实现智能化;
瞬态监测:连续采集加热和冷却区的结温变化,同步采集温度监控点数据;
NPS技术:同步采集温度监控点(NTC/PTC)和结温数据,形成数据关系矩阵。
器件结壳热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
Die-Attach热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
DBC/AMB基本热特性测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
界面热阻测量与分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
PCB板级散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
散热器性能测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
TIM材料热导率测试ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
热缺陷检测ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
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产品品牌 |
天士立 |
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产品型号 |
ST-HeatX |
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产品名称 |
半导体热特性测试系统 |
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主要功能 |
适用于多种类型功率器件及其模组的瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出 |
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试验对象 |
DIODE、MOSFET、IGBT/IGCT、HEMT、GTO、IC |
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试验标准 |
符合JESD51-1、JESD51-14、IEC 60747-8、IEC 60747-9、IEC 60747-15、IEC 60749-23、IEC 60749-34、AEC-Q101、AQG 324等相关标准要求 |
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试验模式 |
DIODE模式 SAT模式 IGBT模式 RDSON模式 HEMT模式 |
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门控电源 |
数量 4 输出方式 隔离输出 输出范围 -10V ~ 20V 输出误差 ≤0.1V + 0.5%set 分辨率 0.01V |
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NTC/PTC 数据同步 采集 |
NTC测量范围 250kΩ 〜 100Ω PTC测量范围 100Ω 〜 250kΩ 最高采样频率 1MHZ 同步时间误差 ≤1μs |
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栅极漏电 测量 |
量程分辨率1nA ~ 850nA@0.01nA 量程分辨率850nA ~ 1mA@0.01uA |
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加热电源 |
量程 30A / 10V 电流输出误差 ≤0.05A + 0.1%set 电流设定分辨率 0.01A 开关速度1μs |
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测温电流源 (主) |
量程 ±0.1A ~ ±1A / 10V 分辨率 1mA 误差 ≤2mA + 0.5%set |
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测温电流源 (辅) |
量程 0 ~ 100mA / 10V 分辨率 0.01mA 误差 0~10mA ≤50μA + 0.5%set 误差 10 ~ 100mA ≤0.5mA + 0.5%set |
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测量通道 |
数量 4 动态电压测量范围 ±5V(差分模式) 动态电压测量误差 ≤1mV + 0.5%set 动态电压量程 100mV、200mV、400mV、800mV 动态电压分辨率 1.6μV 采样频率 最高1MHz 采样模式 连续变频采样 |
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主营产品: |
半导体分立器件静态动态参数测试系统,IGBT静态动态参数特性测试设备,MOS-FET管场效应管测试仪,可控硅参数测试设备,光耦参数测试仪,二三极管参数测试仪,碳化硅SiC氮化镓GaN器件静态动态参数测试仪设备,半导体器件特性分析仪,IGBT模块功率循环试验,实时在线高低温箱,热流仪,气流仪 |
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