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LET-5000半导体测试系统是一款测量与分析功率半导体器件静态参数的专用仪器，为所有类型的功率半导体器件提供静态参数测量解决方案。
LET-5000半导体测试系统能在2200V（可扩展为8000V）和1000A （可扩展为6000A）的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数。
LET-5000具有快脉冲能力，并具有优异的宽电压和电流测量能力。
这些功能能够对最新的器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）进行测量，可以测试器件包括：MOSFET、IGBT、二极管、三极管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多个独立的高精度源组成，每个功率源模块上配备两个独立的模数(AD)转换器支持2µs采样率，每个模块上的驱动能够独立精确控制，对有可能影响器件特性的关键计时进行精确监测。具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA 级漏电流测量能力等特点，支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
被测对象及主要测试参数
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被测对象 |
主要测试参数 |
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分立器件 |
Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二极管 |
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双极 |
Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容 |
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Coms |
Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、QSCV等 |
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内存 |
Vth、电容、耐久测试等。 |
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MOSFET |
Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容 |
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IGBT |
Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿 |
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太阳能电池 |
I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。 |
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纳米器件 |
电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
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GaN |
FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流 |
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 已认证
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| 主营产品： |
半导体功率器件静态参数测试系统，半导体功率器件动态参数测试系统 |
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