igbt测试系统
作者：西安谊邦电子科技有限公司时间：2012-02-22 我要发布
?YB580大功率IGBT全直流参数自动测试系统
1、系统简介
我公司科研人员经过连续技术攻关,?在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上,?自行研发出国内首台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在IGBT半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际领先水平。
目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构,?主极电流100A/200A/400A/500A/700A/1000A/1250A可选。
该产品可测试IGBT参数包括了ICES,?BVCES,?IGESF,?IGESR,?VGETH,?VGEON,?VCESAT,?ICON,VF,?GFS,r?CE等全直流参数,?所有小电流指标保证1%重复测试精度,?大电流指标保证0.5%以内重复测试精度,?达到目前国外进口同类产品领先水平。
可以扩展测试其他半导体分立元器件。
2、主极参数
1）、主极电压：0--2000V
2）、电压分辨率：1mV??
3）、主极电流：0---50A?
电流向上可扩展到：?100A,???200A,??400A,???500A?，700A,??1000A，?1250A。
4）、电流分辨率：1nA??加选件YB550分辨率为1pA?
???5）、电流精度：1%+10nA+20pA/V??
???6）、测试速度：0.5MS/参数
?3、绝缘栅大功率晶体管IGBT测试仪参数及精度
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电参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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ICES???? IGESF IGESR |
0.10V-?2000V 0.10V?-?20V(80V)（2） |
100nA(100pA)（1） -?50mA 100nA(100pA)（1）-?3A |
1nA(50pA)（1） |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1） |
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BVCES |
0.1V-1000V-?1400V -?1600V? |
100μA?-?200mA ???-100mA???????? ???-50mA |
5mV |
1%＋100mV |
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VGETH |
0.10V-?20.0V(80V)（2） |
100nA-?3A |
5mV |
1%+10mV |
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VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数) |
VCE:?0.10V-?5.00V? -?9.99V VGE、VF:? 0.10V?-?9.99V |
IC:?10μA-1250A ???????-?1250A IGE、IF:??? 100nA?-?10A |
5mV |
V:?1%+10mV IC,IF:??1%+100nA IGE:?1%+5nA |
?
（1）????需要YB550选件
（2）????需要栅极80V选件
该IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征,?根据用户需要提供4/?8/?20单元扫描测试适配器,?从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比,?该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试,?具有更高的使用效率。与国外同类产品相比,?该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。
