RSF系列半导体器件保护用熔断器(以下简称快速熔断器)适用于交流50赫芝，额定电压250伏至1000伏，额定电流30安培至5000安培的电路中，作为整流二极管，晶闸管及其由半导体器件组成的成套变流装置的短路和某些不允许过电流的过载保护。

   快速熔断器符合国家标准：GB1353９.1一92，GB13539.4一92等效采用国际电工委员会标准；IEC269一1,IＥC269一4。
   快速熔断器经中国质量检测中心指定的低压电器试验站进行了型式试验，全部试验项目合格。
   快速熔断器具有额定容量大，分断能力高，熔断速度快，限流特性显著，过电压低，分断I２t小，额定功率损耗低，体积小，安装方便，安全可靠以及熔断后指示可靠等特点。
二、型号意义

注：＊: D=40，O=60(可以不标出)，G=70
   ＊＊：1＝48×48，　2=58×58，　3=72×72，　4=85×85, 5=105×105, 6=120×120
   举例:
   1、RSF-5G 1000V/1600A-PK:表示 RSF-1000V/ 1600A　快速熔断器，瓷管：105×105×70。
   结构形式：平板型，单体，带开关指示装置。
   2、RSF-3 800V/1400A一M2C表示RSF一800V/ 1400A快速熔断器，瓷管72x72x60。
   结构形式：母线型，双体，带撞针指示装置。
三、基本参数

四、正常工作条件
   1.环境空气温度上限值不超过十40℃,　下限值不低于－5℃，24小时内的平均值不超过+35℃，年平均值不超过十20℃。
   2.安装地点的海拔高度不超过2000m。
   3.快速熔断器应安装在无爆炸危险的介质中，无足以腐蚀金属和破坏绝缘的气体及无导电尘埃的地方。
   4.在z高温度+40℃时，湿度不超过50%，在较低温度下，允许有较高的相对湿度(如在+20℃时为90%)，在这样条件下，由于温度的变化，可能引起凝露是允许的。
   5.快速熔断器可以垂宜、水平或倾斜安装；工作场所应无显著振动和冲击。
   6.快速熔断器额定电流在1250A以上，且长期使用在70%以上额定电流时，必须与水冷母线连接，或强迫风冷。
五、结构及安装形式
   快速熔断器为传统的有填料封闭管式结构。填料一般采用传统的散状石英砂粒，对于额定电压较高或要求熔断器体积更小时，部分产品规格采用了固化石英砂粒z新工艺，采用新工艺的产品，其分断能力及各项性能指标，均有显著提高。