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BW-IFSM/ITSM二极管浪涌测试系统产品简介:可用于各类二极管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三极管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。二极管元件在实际使用中,除了能长期通过额定通态平均电流外,还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不
P6SMB系列600WTVS二极管,P6SMB440CA双向TVS二极管,600W,602V,2针DO214AA封装P6SMB440CA双向TVS最大钳位电压
低电容TVS管ESD静电抑制器GBLC03CI低残压,低漏电流,低电容值MAXIMUMCLAMPINGVOLTAGE@8/20sVC@IPP13.9V@15.0AEthernet-10/100/1000baseT以太网防浪涌保护器件超低电容系列可为高速串行接口提供更高水平的ESD保护。超低电容TVS阵列;特性350瓦峰值脉冲功率每条线(T
大功率瞬态抑制二极管(TVS)highpowertransientvoltagesuppressor功率型浪涌保护设备产品线可协助定制特殊要求产品。AK3系列瞬态抑制二极管面向大电流双向设备打造,专为交/直流线路保护应用而设计,可防止大型工业设备在开关时产生的浪涌。此类器件专用于保护贵重和重要设备,如电信基础设
IXYS快恢复二极管IXYS二极管IXYS可控硅MCC可控硅IXYS整流桥IXYSMOS管MEO快恢复二极管DSEI快恢复二极管ixys快恢复二极管,MEO快恢复二极管,DSEI快恢复二极管,MEO450-12DA,ixys,DH快恢复二极管,MEE快恢复二极管,MEA,MEKMEO、MEK、MEA、MEE系列快恢复二极管模块IXYS晶体管模块IXYS
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二三极管IV曲线测试仪以电压为横坐标,电流为纵坐标作出元件的电压电流关系曲线,叫做该元件的伏安特性曲线即V-I曲线。三极管IV曲线测试仪三极管输入特性曲线是指当集电极和发射极之间的电压Vce为某一常数时,输入回路中加在三极管基极与发射极之间的电压Vbe与基极电流Ib之间的关
HCA-S-200M系列的光接收器包含了经证实的快速二极管和显著的FEMTOHCA电路放大器技术。HCA-S-200M使用硅或铟镓砷二极管,光谱范围分别在320-1000nm和900-1700nm。这个光电放大器增益值为2104V/A导致铟镓砷模型的zui大变频增益在1550nm达1.9104V/W。这个直流耦合多级放大器可以测量从直流到zui大带
BW-IFSM/ITSM半导体浪涌测试系统产品用途:BW-IFSM/ITSM可用于各类二极管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三极管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。二极管元件在实际使用中,除了能长期通过额定通态平均电流外,还应能承受一定倍数的浪
瞬态电压抑制器TVS二极管,是一种响应时间低至1ns的半导体保护器件,应用范围广。30KP系列为P600封装30000W系列。工作电压范围28V~288V.其常用型号为30KP28CA;30KP30CA;30KP33CA;30KP36CA;30KP39CA;30KP42CA;30KP45CA;30KP48CA;30KP51CA;30KP54CA;30KP58CA;30KP75CA;30KP90CA;30KP170CA;30KP240CA;30
湖北ZX100-400W直流屏模块电源开关图片ZX100系列直流模块电源装置是专为电站监控设备对电源的特殊要求而设计的交、直流双路供电直流电源。电源采用模块化结构,交、直流互为热备份的冗余设计。为了正常时不使用直流电源,采用交流电源优先,当交流消失后零切换时间切换到直流电源。电源具有输入
江苏晞辉芯城电子科技有限公司,公司坐落在江苏省,详细地址为:苏州市昆山经济技术开发区盛晞路328号,企业的经营范围为:一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;半导体器件专用设备销售;半导体分立器件销售;半导体照明器件销售;风动和电动工具销售;气压动力机
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北京北整科瑞电器技术发展有限公司电话:010-65403561传真:010-65403562意大利POSEICO产品的国内总代理,提供POSEICO
EUPEC可控硅,晶闸管北京北整科瑞电器公司电话010-65403561传真010-65403562T1218N20TOFT1218N22TOFT1218N24TOFT1218N26TOFT1218N28TOFT1219N20TOFT1219N22TOFT1219N24TOFT1219N26TOFT1219N28TOFT1329N18TO
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