半导体用钴溅射靶材高纯钴颗粒Co9999

半导体用钴溅射靶材高纯钴颗粒Co9999 半导体用钴溅射靶材一般纯度要求在4N99.99以上，制造方法基本是高纯钴粉先烧结成块，再通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭，然后对钴锭反复进行塑性变形和退火，从而获得具有均匀晶粒和一定内部织构的钴靶坯，靶坯通过与背板进行焊接并经机械加工，最终成品。

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