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FF600R17ME4 技术参数: Ic(A),Tc=80℃ 600 Vces(V) 1700 封装 EconoDual3 电路结构 半桥 性能概要: 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管 带有温度检测NTC 电气特性: 高电流密度 低Vceast Tvj op=150℃ Vceast带正温度系数 机械特性: 高功率密度 绝缘
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