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成都真空设备厂家 半导体制程PVD沉积台 电阻蒸发 电子束蒸发 离子源辅助清洗 辅助沉积 可定制
●本装置使用电阻蒸发、电子束蒸发和离子源辅助清洗、辅助沉积和原位刻蚀进行复合，用于制备特种薄膜，薄膜具有均匀性、附着力、抗损伤、低颗粒物污染等特点，是半导体制程中关键工序的核心装备，其技术长期被美国、日本等国技术巨头所垄断，属于国内卡脖子装备，也是制约国内半导体领域自主可控的
【四川】 成都汉普升科技有限公司
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40
KRI射频离子源RFICP 40 上海伯东代理美国原装进口 KRI射频离子源RFICP 40 : 目前 KRI射频离子源RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内.离子源RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用.离子源RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000
KRI霍尔离子源eH3000 上海伯东代理美国原装进口 KRI霍尔离子源eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高效, 提供更高离子束流的离子源. 尺寸: 直径= 9.7 高= 6 放电电压 / 电流: 50-300V / 20A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI霍尔离子源eH
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上海伯东 射频离子源 RFICP 380
价格货期电议 上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. KRI射频离子源RFICP 380 特性： 1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子,
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上海伯东 KRi 射频离子源 RFICP 220
价格货期电议 上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 400
价格货期电议 上海伯东代理美国原装进口 KRI霍尔离子源eH 400 低成本设计提供高离子电流,霍尔离子源eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 3.7 高= 3 放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a 操作气体:
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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 1000
价格货期电议 上海伯东代理美国原装进口 KRI霍尔离子源eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻. 尺寸: 直径= 5.7 高= 5.5 放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体 KRI霍尔离
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140
价格货期电议 上海伯东代理美国原装进口 KRI射频离子源RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
价格货期电议 上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可
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上海伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
价格货期电议 上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极.离子源KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积.离子源KDC 40
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 线性离子源
KRI 线性霍尔离子源eH Linear 上海伯东代理美国原装进口 KRI 线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现更佳的均匀性和离子流. 由于模组是平行放置, 大大简化了气体, 功率和电子三者的分布. KRI 线性离子源使用标准的端部
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