类别筛选:
地区筛选:
产品详情:KMT32B磁场角度传感器 KMT32B是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,它可以在磁场强度大于25kA/m应用中独立的传感出磁场方向。传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45角度。一个平行于芯片表面(X-Y平面)的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号,一个是cos(2a),
产品详情:KMT32B磁场角度传感器 KMT32B是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,它可以在磁场强度大于25kA/m应用中独立的传感出磁场方向。传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45角度。一个平行于芯片表面(X-Y平面)的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号,一个是cos(2a),
产品详情:KMXP磁性位移传感器 KMXP磁阻传感器沿着磁尺移动,位置的变化产生正弦和余弦输出信号。为了取得满意的测量结果,传感器边沿与磁尺表面的间隙不能超过半个磁极距。由于传感器是基于各向异性磁阻效应,信号幅度是独立于磁场强度的,因此间隙的变化不会影响测量精度。传感器检测磁场梯度,
产品详情:KMT32B磁场角度传感器 KMT32B是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,它可以在磁场强度大于25kA/m应用中独立的传感出磁场方向。传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45角度。一个平行于芯片表面(X-Y平面)的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号,一个是cos(2a),
产品详情:KMXP磁性位移传感器 KMXP磁阻传感器沿着磁尺移动,位置的变化产生正弦和余弦输出信号。为了取得满意的测量结果,传感器边沿与磁尺表面的间隙不能超过半个磁极距。由于传感器是基于各向异性磁阻效应,信号幅度是独立于磁场强度的,因此间隙的变化不会影响测量精度。传感器检测磁场梯度,