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FF200R12KS4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 200Vce(sat),Max(V) 3.7Ton(us) 0.11Toff(us) 0.55Rth(j-c),K/W 0.09Pc(W) 1400封装 62mm电路结构 半桥性能概要：高短路能力自我限制短路电流低开关损耗无可比拟的耐用性V（CESAT）具有正温度系数标准结构优点：
供应Infineon(英飞凌)IGBT功率模块FF200R12KS4200A/1200V/2单元封装：62mm全新原装专业经销SEMIKRON(西门康)、EUPEC(优派克)Infineo
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