串行Flash是用串行接口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行 flash使用比并行flash更少的连线在一个系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash 来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25 系列串行flash来讲,它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚 硬件兼容的特点。
重要特征
操作电压：2.7-3.6V 或者 3.0-3.6V 读和写操作
4 线串行接口结构
具有wrap-around特点的连续字节读操作
低功耗 : 7mA(典型),待机：8uA(典型)
灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力
快速擦除时间：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型)
字节编程：14us(典型)
最大操作时钟频率可达50MHz
对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程
通过WP#引脚可实现硬件写保护
Device Density Voltage Clock speed (MHz) Packages
SST25VF512 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(150mil),WSON-8
SST25VF512A 512Kb(64Kx8) 2.7-3.6V 33 SOIC-8(150mil),WSON-8
SST25VF010 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(150mil),WSON-8
SST25VF010A 1Mb(128Kx8) 2.7-3.6V 33 SOIC-8(150mil),WSON-8
SST25VF020 2Mb(256Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(150mil),WSON-8
SST25VF020A 2Mb(256Kx8) 3.0-3.6V 33 SOIC-8(150mil),WSON-8
SST25VF040 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V 20 SOIC-8(200mil),WSON-8
SST25VF040A 4Mb(512Kx8) 3.0-3.6V 33 SOIC-8(200mil),WSON-8
SST25VF040B 4Mb(512Kx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),WSON-8
SST25VF080B 8Mb(1Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),WSON-8
SST25VF016B 16Mb(2Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),WSON-8
SST25VF032B 32Mb(4Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-8(200mil),SOIC-16(300mil)
SST25VF064C 64Mb(8Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-16(300mil)
SST25VF128C 128Mb(16Mx8) 2.7-3.6V 50 SOIC-16(300mil)
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