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IXFA180N10T2N沟道增强模式功率场效应管

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商品信息

 深圳市星际金华实业有限公司大量现货优势提供IXYS IXFA180N10T2 N沟道增强模式功率场效应管    质量有保证    价格实惠

型号:IXFA180N10T2

品牌:IXYS 

批号:18+ 

封装:TO-263

特征

国际标准包装

雪崩等级

175°C工作温度

高电流处理能力

快速本征整流器

低R

DS(上)

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 185nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 480W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 TO-263(IXFA)

封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

好处

易于安装

节省空间

高功率密度

应用领域

DC-DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模式

电源

直流斩波器

交流电动机驱动器

不间断电源

高速电源开关

以上型号是我司优势长期现货供应产品,网上所标价格不正确定,价格请以当天询问为准,有意者,可以来电联系公司工作人员,我们将竭诚为您服务!