联系人： 陈少龙 (来电时请说是从北极星看到我的)
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华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪业务范围：大功率半导体测试系统研发、生产、销售及服务支持，同时还承担着同类进口产品的售后维修服务，测试技术服务。
华科智源 MOS管 IGBT及功率器件动态测试仪产品优势：性价比高，可测器件种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便、售后服务及时周到。
服务领域：轨道交通、电动汽车、电力电子、航天、中船、科研高校等。
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功能单元 |
参数指标 |
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基本参数 |
功率源：5000V/1600A |
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栅极-发射极漏电流 |
IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA |
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IGES |
集电极电压VCE: 0V |
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栅极电压 Vge: 5-40V±3±0.1V |
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集电极电压VCES: 200-3000V±2±10V |
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集电极-发射极电压 |
集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA |
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栅极电压 Vge: 0V |
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集电极-发射极饱和 |
VCESat:0.1-5V±2±0.01V |
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电压VCESat |
栅极电压Vge: ±15V±2±0.2V |
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集电极电流ICE: 10-100A±2±1A |
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集电极-发射极截止 |
集电极电压VCE: 200-3000V±3 |
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集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA |
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电流ICES |
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栅极电压VGE: 0V |
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栅极-发射极阈值电 |
VGEth: 1-10V±2±0.1V |
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压 |
Vce=15V |
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二极管压降测试 |
VF: 0.1-5V±2±0.01V |
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IF:5-100A±2±1A |
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Vge: 0V |
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反向击穿BVR |
BVR：200-3000V±2±10V |
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反向漏电流IR |
IR：0.1-10mA±3±0.01mA |
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导通电阻RDS（on） |
1-10mΩ±2±0.1 mΩ |
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10-50mΩ±2±0.5 mΩ |
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| 联系人： | 陈少龙 |
企业认证：
 已认证
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| 主营产品： |
IGBT测试仪，IGBT测试仪设备，大功率IGBT测试仪，大功率IGBT测试设备，IGBT测试仪系统 |
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