英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3

北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3

北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；IPM模块

产品参数：

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低开关损耗和发射极控制二极管

IGBT

IGBT是什么？

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比 --北京京诚宏泰科技有限公司

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

• 优点：热稳定性好、安全工作区大。
• 缺点：击穿电压低，工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

• 特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1000A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
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• 3300V IGBT模块型号：北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3

  FF200R33KF2C

  FZ400R33KF2C

  FZ800R33KF2C

  FZ1200R33KF2C

  IGBT模块FZ1000R33HL3

  IGBT模块FZ1000R33HE3

  IGBT模块FZ1200R33HE3

  IGBT模块FZ1500R33HE3

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  IGBT模块FZ1600R33HE4

  IGBT模块FZ1400R33HE4

  IGBT模块FZ2400R33HE4

  IGBT模块FF450R33T3E3

  IGBT模块FZ825R33HE4D

   

  特征描述 北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3

  • 高直流电压稳定性

  • 高短路能力

  • 自限制短路电流

  • 低开关损耗

  • 出色的坚固性

  • Tvj op = 150°C

  • 低 VCEsat，具有正温度系数

  • 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力

  • 封装的 CTI > 600

  • 绝缘基板

IGBT的典型应用

• 电动机
• 不间断电源
• 太阳能面板安装
• 电焊机
• 电源转换器与反相器
• 电感充电器
• 电磁炉

产品详细参数：北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3