FZ800R33KF2C技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 800Vce(sat),Max(V) 4.25Ton(us) 0.28Toff(us) 1.55Rth(j-c),K/W 0.013Pc(W) 9600封装 IHV130mm电路结构 一单元性能概要：高可靠性和坚固的模块结构优点：紧凑型逆变器设计的高功率密度标准外形目标应用：电机控制

相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来越广泛应用于新能源汽车、工业、交通、医疗等领域。在桥式电路中，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度会使得串扰行为更容易发生，也会更容易发生误开通现象，所以如何有效可靠地驱动碳化硅MOSFET至关重要

FF200R12KT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 200Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.135Pc(W) 1100封装 62mm电路结构 半桥性能概要：频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C（最大150C）降低了

英飞凌PIM模块推荐英飞凌（Infineon）是德国原西门子半导体集团独立上市公司。英飞凌源于西门子半导体，而西门子的多次重要发明对全球功率半导体的发展过程均起着重要的推动作用。英飞凌的功率半导体器件涵盖电力、汽车、电源等领域，应用极其广泛。武汉科琪电子有限公司长期销售原装英飞凌IGBT模