●本装置使用电阻蒸发、电子束蒸发和离子源辅助清洗、辅助沉积和原位刻蚀进行复合，用于制备特种薄膜，薄膜具有均匀性、附着力、抗损伤、低颗粒物污染等特点，是半导体制程中关键工序的核心装备，其技术长期被美国、日本等国技术巨头所垄断，属于国内卡脖子装备，也是制约国内半导体领域自主可控的

KRI射频离子源RFICP40上海伯东代理美国原装进口KRI射频离子源RFICP40:目前KRI射频离子源RFICP系列尺寸最小,低成本高效离子源.适用于集成在小型的真空腔体内.离子源RFICP40设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用.离子源RFICP40无需电离灯丝设计,适用于通气气体是活性气体时的

KRI霍尔离子源eH3000上海伯东代理美国原装进口KRI霍尔离子源eH3000适合大型真空系统,与友厂大功率离子源对比,eH3000是目前市场上高效,提供更高离子束流的离子源.尺寸:直径=9.7高=6放电电压/电流:50-300V/20A操作气体:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有机前体KRI霍尔离子源eH

价格货期电议上海伯东美国KRi大口径射频离子源RFICP380,3层栅极设计,栅极口径38cm,提供离子动能100-1200eV宽束离子束,最大离子束流1000mA,满足300mm(12英寸)晶圆应用.KRI射频离子源RFICP380特性：1.放电腔DischargeChamber,无需电离灯丝,通过射频技术提供高密度离子,

价格货期电议上海伯东代理美国原装进口KRI射频离子源RFICP220高能量栅极离子源,适用于离子溅镀,离子沉积和离子蚀刻.在离子束溅射工艺中,射频离子源RFICP220配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材,实现完美的薄膜特性.同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中,最佳的

价格货期电议上海伯东代理美国原装进口KRI霍尔离子源eH400低成本设计提供高离子电流,霍尔离子源eH400尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统,可以控制较低的离子能量,通常应用于离子辅助镀膜,预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸:直径=3.7高=3放电电压/电流:50-300eV/5a操作气体:

价格货期电议上海伯东代理美国原装进口KRI霍尔离子源eH1000高效气体利用,低成本设计提供高离子电流,特别适合中型真空系统.通常应用于离子辅助镀膜,预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸:直径=5.7高=5.5放电电压/电流:50-300V/10A操作气体:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有机前体KRI霍尔离

价格货期电议上海伯东代理美国原装进口KRI射频离子源RFICP140是一款紧凑的有栅极离子源,非常适用于离子束溅射沉积,离子辅助沉积和离子束刻蚀.在离子束溅射工艺中，射频离子源RFICP140配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材,实现完美的薄膜特性.同样的在离子束辅助沉积和离子

价格货期电议上海伯东代理美国原装进口KRI考夫曼离子源KDC75:紧凑栅极离子源,离子束直径14cm,可安装在8CF法兰.适用于中小型腔内,考夫曼离子源KDC75包含2个阴极灯丝,其中一个作为备用,KDC75提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜.标准配置下离子能量范围100至1200ev,离子电流可

价格货期电议上海伯东代理美国原装进口KRI考夫曼离子源KDC40:小型低成本直流栅极离子源.KDC40是3cm考夫曼型离子源升级款.具有更大的栅极,更坚固,可以配置自对准第三层栅极.离子源KDC40适用于所有的离子工艺,例如预清洗,表面改性,辅助镀膜,溅射镀膜,离子蚀刻和沉积.离子源KDC40

KRI线性霍尔离子源eHLinear上海伯东代理美国原装进口KRI线性离子源使用eH400做为模组,能应用于宽范围的衬底,离子源长度高达1米,通过严格调整模组间的距离可以实现更佳的均匀性和离子流.由于模组是平行放置,大大简化了气体,功率和电子三者的分布.KRI线性离子源使用标准的端部