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BSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DN2BSM100GAL120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCKBSM100GB120DN2BSM100GB120DN2KBSM100GB170DLCBSM100GB170DN2BSM100GB60DLCBSM100GD120DLCBSM100GD120DN2BSM100GD60DLCBSM100GP60BSM10GD120DN
1MBH60D-1001MBI30L-0601MBI50L-0601MBI75L-060 1MBI100L-0601MBI150NH-0601MBI150NK-0601MBI200NH-0601MBI300L-0601MBI300N-0601MBI300F-0601MBI400F-0601MBI200NK-0601MBI400L-0601MBI400N-0601MBI600LP-0601MBI600LN-0601MBI600NP-0601MBI600NN-0601MBI200F-1201MB
VGO36-16IO7VUO22-12N01VUO35-16N08VUO34-12N01VUO52-16N01VUO36-12N08VUO62-16N07VGO36-12IO7VUO82-16N07VUO55-12N07VUO55-16N07VUO60-12N03VUO60-16N03VUO110-16NO7VUO190-16O7VUO16-12N01MCD44-08IO8BMCD72-12IO1BMCD161-22IO1MCD224-20IO1MCC94-20IO1BMCC161-
日本富士(FUJI)系列可控硅、三相整流桥、IGBT模块富士整流桥富士可控硅富士IGBT模块富士模块富士IGBT================================
三菱IGBT,mitsubishiIGBT,mitsubishi,IGBT模块,进口IGBT模块,IPM模块,PIM模块晶闸管,可控硅及二极管模块,IGBT单管================★★★★
FF450R17ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.3Ton(us) 0.26Toff(us) 1.0Rth(j-c),K/W 0.06Pc(W) 2500封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:DC/AC优化的热阻案件散热器最高的功率密度紧凑型逆变器设计优点:紧凑型模块容易和最可靠的组
FZ600R12KE4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) -Ton(us) -Toff(us) -Rth(j-c),K/W -Pc(W) -封装 62mm电路结构 半桥典型应用:大功率变流器电机传动UPS系统风力发电机电气特性:提高工作结温Tvjop低开关损耗坚固VCEsat带正温度系数
FZ800R33KF2C技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 800Vce(sat),Max(V) 4.25Ton(us) 0.28Toff(us) 1.55Rth(j-c),K/W 0.013Pc(W) 9600封装 IHV130mm电路结构 一单元性能概要:高可靠性和坚固的模块结构优点:紧凑型逆变器设计的高功率密度标准外形目标应用:电机控制
FF100R12RT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 100Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.15Toff(us) 0.4Rth(j-c),K/W 0.27Pc(W) 555封装 34mm电路结构 半桥性能概要:提高工作温度TVJop低开关损耗低V(CESAT)T(VJOP)=150℃V(CESAT)具有正温度系数隔离底板标准
昆山奇沃电子有限公司长期供应进口德国赛米控系列电力电子功率模块:Skiip1203GB122-2DwSkiip1513GB122-3DLSkiip1803GB122-3DwSkiip2013GB122-4DLSkiip2403GB122-4DwSKiiP3614GB12E4-6DULSKiiP2414GB17E4-4DUWSkiip313GD122-3DULSkiip513GD122-3DULSkiip603GD122-3DuwS
FS150R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 150封装 EconoPack3电路结构 六单元性能概要:高功率密度成立的Econo模块概念集成温度传感器低杂散电感模块设计符合RoHS标准的组件优点:紧凑型模块优化客户的开发周期和成本配置灵活性目标应用:电机控制
FF600R17ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vces(V)1700封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTC电气特性:高电流密度低VceastTvjop=150℃Vceast带正温度系数机械特性:高功率密度绝缘
FF1400R12IP4技术参数:Ic(A),Tc=80℃: 1400Vce(sat),Max(V):2.05Ton(us): 0.21Toff(us): 0.97Rth(j-c),K/W: 0.0195Pc(W):7650封装: PrimePACK3电路结构: 半桥典型应用 辅助逆变器 大功率变流器 电机传动 牵引变流器 UPS系统 风力发电机 电气