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IGBT模块型号:F4-75R12KS4 特点:.最高耐压1200V.额定电流100A@25度.4单元H桥.开关时间0.2微秒典型应用:.逆变电源.UPS.直流电机驱动器
IGBT驱动模块型号:SKHI22AH4 特点:.半桥双IGBT驱动.与SKHI21兼容.输入兼容COMS电平.短路电流保护.驱动高低边互锁.使用变压器隔离.低电压保护(13V).
一、600V系列EUPECIGBT模块,infineonIGBT模块,英飞凌IGBT模块,优派克IGBT模块,部分型号如下:两单元EUPECIGBT模块/infineonIGBT模块:BSM50GB60DLCBSM75GB60DLCBSM100GB60DLCBSM150GB60DLCBSM200GB60DLCBSM300GB60DLCFF200R06KE3
上海鑫焰实业有限公司竭诚为您服务,真心回馈客户!工号(68280)许工:15710195825工号(68278)李工:15710170627电话:021-61093034网址:http:
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ABB变频器配件:驱动模块+IGBT模块+驱动板+滤波板+控制板ABB+IGBT模块/ABB变频器配件/驱动板+IGBT模块ABB---DCS500B直流传动主要备件清单ABBDCS800DCS600直流调速器配件+ABB励磁模块VVZF70-16IO7ABB直流调速器电路板ABB直流调速器模块DCS800驱动板ABBDCS800DCS600直流调速器配件+ABB励磁模块VVZF70
LX9600功率器件动态参数测试系统 系统用途 LX9600功率器件动态参数测试系统是由北京励芯泰思特测试技术有限公司自主研制、开发、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备,用于MOSFET、IGBT、快恢复二极管、双极型三极管的动态参数测试。测试原理符合相应的国家标准、国家*用标准,系统为模块化、开放式结构,具
LX9600功率器件动态参数测试系统 系统用途 LX9600功率器件动态参数测试系统是由北京励芯泰思特测试技术有限公司自主研制、开发、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备,用于MOSFET、IGBT、快恢复二极管、双极型三极管的动态参数测试。测试原理符合相应的国家标准、国家*用标准,系统为模块化、开放式结构,具
BC3193半导体分立器件测试系统 系统用途 BC3193半导体分立器件测试系统是半导体参数测试的专用设备,用于半导体器件生产厂家进行圆片中测或封装成测,各类整机厂家、科研院所的质量检测部门进行入厂检验、可靠性分析测试 系统特点 ◆PC机为系统的主控机 ◆菜单式测试程序编辑软件操作简便 ◆预先连接测试
SemikronSKiiP系列变频器智能IGBT模块IPM(智能功率模块)无功补偿,谐波吸收,,可再生能源,电动汽车,并网逆变器,电池储能,太阳能变流器,风力发电,焊机,感应加热,风电变流器,电气传动,电源,有轨电车,电梯,高压变频器,矿井提升机,谐波抑制,绞车电控,矿用皮带机,UPS电源,西门康SEMIKRONIGBT智能模块-SKIIP系列ProductsVoltageCurr
SemikronSKMIGBT变频器模块 这些元件广泛应用于电镀电源焊接电源加热电源医疗电源家电电源便携式电源,直流电源,逆变电源电镀工控电源电力设备电源设备整流,龙门刨床的,调速系统主电路,充电机,动力制动电源柜,无功补偿,电气传动,交流输电、,高压变频、励磁,高压软启动、矿井提升机、斩波、谐波抑制装置,绞车电控,矿用皮带机,
英飞凌IGBT模块、晶闸管、电力二极管等中大功率电力半导体器件;IGBT、功率MOSFET、快恢复二极管等中小功率分离器件;驱动IC、智能功率器件(Cipos)等功率集成电路;英飞凌单片微机(MCU)等信息控制产品。EPCOS电解电容、电力电容、IGBT吸收电容、EMC滤波器、磁芯等无源电子零件。瑞士Concept中大功率、高压(3.3KV、6.5K
FF600R12KF4FF200R33KF2FF400R16KF4FF400R12KF4FF400R33KF1FF400R33KF2FF800R12KF4FF600R16KF4FF80
SKiiP26AC065V1SKiiP27AC065V1SKiiP28AC065V1SKiiP39AC065V2SKiiP14AC065V1
种类:保护器件品牌:CONCEPT型号:2SD315AI-17▲2SD315AIKeyDataOverviewParameterMinTypicalMaxUnitNominalsu
Tvj=25CVRRM1200VDauergleichstromContinuousDCforwardcurrentIF400APeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrenttP=1msIFRM800AGrenzlastintegralI²t-valueVR=0V,tP
VCES=1200VICnom=1200A/ICRM=2400AElektrischeEigenschaftenElectricalFeaturesNiedrigesVCEsatLowVCEsatTrenchIGBT3TrenchIGBT3MechanischeEigenschaftenMec