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温馨提示:本公司为一般纳税人,可开17%增值税,统一社会信用代码91350524M0000J117N注意:采购为型号为准,图片参考,市场价格不稳定,价格当天报价为准确,其他型号或者下单前,先联系我公司客服在确定下单。DYNEX丹尼克斯IGBT模块DIM800ECM33-F076全新原装DYNEX丹尼克斯IGBT模块DIM1600FSM
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英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;晶闸管;IPM模块产品参数:IHVB3300V1000A130mm单开关IGBT模块,具有第三代TRENCHSTOPIGBT、低开关损
英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9西门子S120变频器配件IGBT模块驱动板电容PLC模块二极管IGBTIGBT是什么?IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
英飞凌IGBT模块FZ2400R17HP4_B9电厂西门子变频器西门子变频器配件FZ2400R17HP4_B9北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HP4_B9电厂西门子变频器IGBTIGBT是什么?IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式
英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4电厂西门子变频器西门子变频器配件6SY7000-0AD50北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4电厂西门子变频器IGBTIGBT是什么?IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导
FZ600R12KE4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) -Ton(us) -Toff(us) -Rth(j-c),K/W -Pc(W) -封装 62mm电路结构 半桥典型应用:大功率变流器电机传动UPS系统风力发电机电气特性:提高工作结温Tvjop低开关损耗坚固VCEsat带正温度系数
FZ800R33KF2C技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 800Vce(sat),Max(V) 4.25Ton(us) 0.28Toff(us) 1.55Rth(j-c),K/W 0.013Pc(W) 9600封装 IHV130mm电路结构 一单元性能概要:高可靠性和坚固的模块结构优点:紧凑型逆变器设计的高功率密度标准外形目标应用:电机控制
FS150R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 150封装 EconoPack3电路结构 六单元性能概要:高功率密度成立的Econo模块概念集成温度传感器低杂散电感模块设计符合RoHS标准的组件优点:紧凑型模块优化客户的开发周期和成本配置灵活性目标应用:电机控制
FF600R17ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vces(V)1700封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTC电气特性:高电流密度低VceastTvjop=150℃Vceast带正温度系数机械特性:高功率密度绝缘
FF1400R12IP4技术参数:Ic(A),Tc=80℃: 1400Vce(sat),Max(V):2.05Ton(us): 0.21Toff(us): 0.97Rth(j-c),K/W: 0.0195Pc(W):7650封装: PrimePACK3电路结构: 半桥典型应用 辅助逆变器 大功率变流器 电机传动 牵引变流器 UPS系统 风力发电机 电气
FF450R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.062Pc(W) 2400封装 62mm电路结构 半桥性能概要:频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C(最大150C)降低了
FF100R12RT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 100Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.15Toff(us) 0.4Rth(j-c),K/W 0.27Pc(W) 555封装 34mm电路结构 半桥性能概要:提高工作温度TVJop低开关损耗低V(CESAT)T(VJOP)=150℃V(CESAT)具有正温度系数隔离底板标准
FF450R17ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.3Ton(us) 0.26Toff(us) 1.0Rth(j-c),K/W 0.06Pc(W) 2500封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:DC/AC优化的热阻案件散热器最高的功率密度紧凑型逆变器设计优点:紧凑型模块容易和最可靠的组
专业代理《英飞凌》IGBT模块|可控硅模块;德国西门子(EUPEC)英飞凌IGBT模块、优派克超大功率IGBT模块(1200V/1600V/2500V/3300V/6500V系列)英飞凌IGBT模块型号(1单元)IGBT技术指标600V半桥(2单元)英飞凌IGBT模块产品型号参数说明封装形式BSM50GB60DLC50A,600V,IGBT234mm
德国英飞凌igbt模块bsmke3kt3kf4系列BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC
FF600R12ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) 2.1Ton(us) 0.18Toff(us) 0.5Rth(j-c),K/W 0.041Pc(W) 3650封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:低V(CESAT)T(VJOP)=150℃V(CESAT)具有正温度系数高功率密度隔离底板标准外形优点:
英飞凌IGBT模块FF600R17ME4,北京晶川现货支持。VCES=1700VICnom=600A/ICRM=1200A典型应用TypicalApplications大功率变流器Highpowerconverters风力发电机Windturbines电气特性ElectricalFeatures高电流密度Highcurrentdensity低VCEsatLowVCEsa