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国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块,基本SiC模块替代三菱IPM模块,基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块,基本SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块,基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块!使
为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS!-倾佳电子(ChangerTech)专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS,实现超
采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的电力电子变压器加速取代传统变压器!采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的固态变压器加速取代传统变压器!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体SiC碳化硅MOSFET功率模块打造电力电子变压器(powerelectronictransformer,PET)!-倾佳电子(ChangerTech)专
基本PcoreTM2E2B全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子专业分销PcoreTM2E2B全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3-倾佳电子专业分销适用于液冷充电桩电源的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销适用于三相三电平维也纳PFC的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销
基半第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用基半B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:比导通电阻降低40%左右Qg降低了60%左右开关损耗降低了约30%降低Coss参数,更适合软开关降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险最大工作结温175℃HTRB、
SiC碳化硅晶圆减薄机GNX200BH_OKAMOTO适用于硬质材质减薄:SiC碳化硅晶圆减薄机GNX200BH是一台可研磨超硬材料的全自动减薄设备,采用大功率主轴和高刚性铸件,可以大幅缩小加工公差。GNX200BH在应对SiC碳化硅晶圆、GaN氮化镓晶圆等新型坚硬材料为原材料的晶圆减薄/研磨/研削时表现优秀。GN