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IGBT模块等关键元器件采用国际顶级优质产品——牵引级IGBT模块,较普通的IGBT模块具有更高的耐压和抗冲击性,可靠性更高。保证RHVC产品的世界级优良品质。高品质的器件是高质量产品的基石。
特点:混合集成型IGBT驱动器,可应用于任何需要栅极放大驱动的场合,通过高速光耦实现功率半导体器件与控制电路之间的安全电气隔离,开关频率高达20KHZ,内建短路保护与故障输出、过流故障时输出软关断及定
温馨提示:本公司为一般纳税人,可开17%增值税,统一社会信用代码91350524M0000J117N注意:采购为型号为准,图片参考,市场价格不稳定,价格当天报价为准确,其他型号或者下单前,先联系我公司客服在确定下单。DYNEX丹尼克斯IGBT模块DIM800ECM33-F076全新原装主营:IGBT模块.IGB
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英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;晶闸管;IPM模块产品参数:IHVB3300V1000A130mm单开关IGBT模块,具有第三代TRENCHSTOPIGBT、低开关损
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FS150R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 150封装 EconoPack3电路结构 六单元性能概要:高功率密度成立的Econo模块概念集成温度传感器低杂散电感模块设计符合RoHS标准的组件优点:紧凑型模块优化客户的开发周期和成本配置灵活性目标应用:电机控制
FZ600R12KE4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) -Ton(us) -Toff(us) -Rth(j-c),K/W -Pc(W) -封装 62mm电路结构 半桥典型应用:大功率变流器电机传动UPS系统风力发电机电气特性:提高工作结温Tvjop低开关损耗坚固VCEsat带正温度系数
FZ800R33KF2C技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 800Vce(sat),Max(V) 4.25Ton(us) 0.28Toff(us) 1.55Rth(j-c),K/W 0.013Pc(W) 9600封装 IHV130mm电路结构 一单元性能概要:高可靠性和坚固的模块结构优点:紧凑型逆变器设计的高功率密度标准外形目标应用:电机控制
FF600R17ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vces(V)1700封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTC电气特性:高电流密度低VceastTvjop=150℃Vceast带正温度系数机械特性:高功率密度绝缘