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ALICAT上海气体质量流量控制器半导体多晶硅提取气体质量流量控制器

艾里卡特Alicat提供先进的质量流量计、质量流量控制器、压力控制器、压力传感器解决方案 ALICAT上海气体质量流量控制器半导体多晶硅提取气体质量流量控制器性能极佳的质量流量控制器只需将流量保持在您的设定值。艾里卡特MC系列气体质量流量控制器可快速达到新的设定值，并保持该设定值，即使在压力

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首鼎半导体SD4054丝印LTH7电压4.2V 锂电池充电管理IC

首鼎半导体SD4054丝印LTH7电压4.2V 锂电池充电管理IC SD4054 LTH7 电压4.2V 锂电池充电管理IC 首鼎半导体特点编程充电电流可达800mA 无需外接MOSFET、检测电阻和隔离二极管采用 TSOT 封装、用于单节锂离子电池线性充电芯片含温度控制的的恒流/恒压充电模式使充电速率最大化，没有过

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供应:Lanxess ONAC NM60 SG树脂,半导体级抛光混床树脂中拓环保

供应:Lanxess ONAC NM60 SG树脂,半导体级抛光混床树脂中拓环保 IONAC NM60 SG 是一种高度在再生的混床

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二极管、晶闸管测试仪

西安智盈电气二极管测试仪是针对二极管分选设备而设计配套的智能型测试仪器。主要用于二极管在恒定电流时其两端的正向电流电压，反向恒压时测量其反向漏电流。也可用作一般直流电压源、电流源使用。仪器输出电压可以任意设置，若选择合适的输出电压，可有效消除测...

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可控硅通态压降测试台

西安智盈 DBC-112 可控硅静态参数测试台一、产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成： 1)门极触发参数测试单元 2)维持电流测试单元 3)阻断参数测试单元 4)通态压降参数测试单元 5)电压上升率参数测试单元 6)擎住电流 7

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IGBT静态参数测试仪

核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有： MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_onoff / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力

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IGBT动态参数测试仪

核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有： MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_onoff / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能

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BW-4022C 半导体综合测试系统 BW-4022C半导体综合测试系统可同时针对：【光耦】Input:Vf/It/Ct；Output:Iceo/BVceoBVeco;TransferCharacteristics:If/CTRVice(sat)/Riso/Cf/Fc/Tr/Tf. 适用于〖三极管管型光耦/可控硅光耦/继电器光耦〗进行测试。【二极管】 --Kelvin /Type_ident /Pin_test /

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BW-UIS-3500半导体雪崩耐量测试仪

BW-UIS-3500 半导体雪崩耐量测试仪 BW-UIS-3500半导雪崩能量测试系统是专门设计测试IGBT、二极管、SiC系列MOS管的测试设备，该设备主要组成单元有：泰克示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率器件、IGBT 器件过压、过流保

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BW-IFSM/ITSM二极管浪涌测试系统

BW-IFSM/ITSM 二极管浪涌测试系统产品简介：可用于各类二极管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌电流（IFSM）试验，包括三极管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。二极管元件在实际使用中，除了能长期通过额定通态平均电流外，还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不

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工业级电阻电子束蒸发镀膜机成都大型镀膜设备

本设备适用于高精密光通讯产品镀制光学膜，电学膜、金属膜、激光膜、冷光膜、分光膜、增透膜、各种滤光片、玻璃片及塑胶（树脂）件上镀制增透膜和截止膜等各种膜系镀膜。为满足广大用户的不同需求，我公司可接受多种形式的真空镀膜机的定制要求，包括对真空室体尺寸、真空系统配置、工件夹具系统、工

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武汉半导体探针台定制

半导体探针台是半导体行业用于电气测试的核心设备，通过微型探针与芯片测试点接触，实现电信号传输和测量，贯穿研发、制造及测试全流程。一、核心功能电气性能测试：对集成电路（IC）、分立器件等进行精密电气测量，确保器件质量与可靠性，降低制造成本。晶圆级测试：在晶圆制造环节检测各芯片

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功率模块可靠性测试仪

一、测试设备功能和技术指标 1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。***设备的安全性和使用耐久性。 2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组

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元器件、晶闸管全动态测试系统

一. 功能简介全动态测试的基本原理是在一个工频半周内对被测元件施加半波电流，电流的平均值由元件的额定电流值决定，而在另一个半周内施加正向或反向的正弦半波阻断电压，测量它的动态阻断伏安特性，它模拟了元件在整流电路中的工作情况。全动态测试法是对元件的通态电流能力、阻断电压能力的一

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DIDT测试仪

西安智盈 DBC-112 可控硅静态参数测试台一、产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成： 1)门极触发参数测试单元 2)维持电流测试单元 3)阻断参数测试单元 4)通态压降参数测试单元 5)电压上升率参数测试单元 6)擎住电流 7

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雪崩能量测试仪

西安智盈电气科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试设备自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有： MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（

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