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具有:1.测量稳定性,无精度恶化;2.不需给传感器供电,不太受干扰影响;3.仅需三步操作,三分钟即可完成测量设置的优点。测量线路单相2线,单相3线,三相3线,三相4线输入单元数最大8个单元(单元可混搭)输入单元种类U70012.5MS/s输入单元U700515MS/s输入单元测量频率带
SIC参数器件测试仪华科智源产品特点测试系统电压以1500V为一个模块,电流以2000A为一个模块,可扩展至10KA/10KV内置7颗标准电感负载可选用,另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)另有程控式电感箱可供选择针对不同结构的封装外观,通过更换DUT适
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块,基本SiC模块替代三菱IPM模块,基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块,基本SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块,基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块!使
为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS!-倾佳电子(ChangerTech)专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS,实现超
采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的电力电子变压器加速取代传统变压器!采用SiC碳化硅MOSFET功率模块的固态变压器加速取代传统变压器!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体SiC碳化硅MOSFET功率模块打造电力电子变压器(powerelectronictransformer,PET)!-倾佳电子(ChangerTech)专
基本PcoreTM2E2B全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子专业分销PcoreTM2E2B全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3-倾佳电子专业分销适用于液冷充电桩电源的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销适用于三相三电平维也纳PFC的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子专业分销
倾佳电子专业分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本碳化硅MOSFET模块,BASiC基本单管IGBT,BASiC基本IGBT模块,BASiC基本三电平IGBT模块,BASiC基本I型三电平IGBT模块,BASiC基本T型三电平IGBT模块,BASiC基本混合SiC-IGBT单管,BASiC基本混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔
基半第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用基半B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:比导通电阻降低40%左右Qg降低了60%左右开关损耗降低了约30%降低Coss参数,更适合软开关降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险最大工作结温175℃HTRB、
SiC碳化硅晶圆减薄机GNX200BH_OKAMOTO适用于硬质材质减薄:SiC碳化硅晶圆减薄机GNX200BH是一台可研磨超硬材料的全自动减薄设备,采用大功率主轴和高刚性铸件,可以大幅缩小加工公差。GNX200BH在应对SiC碳化硅晶圆、GaN氮化镓晶圆等新型坚硬材料为原材料的晶圆减薄/研磨/研削时表现优秀。GN
泰科天润半导体科技(北京)有限公司是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一,国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商。总部坐落于北京中关村东升科技园,拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,具有目前国内唯一一条批量化面对市场的碳化硅器件生产线,4寸碳化硅晶圆生产
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高压铝电解电容FELSIC85LP(BC)的特点:容值范围:680uF~0.33F电压范围:10~630Vdc工作温度:-55℃~+85℃尺寸范围:ф90mm×H67mmSIC-SAFCO高压铝
SIC-SAFCO径向圆柱型ALSICIRCO55铝电解电容的特点:容值范围:15uF~5600uF电压范围:10~100Vdc工作温度:-55℃~+105℃尺寸范围:Φ10~16×H16~25m