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●系统特点
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●基本能力
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Ø 选件丰富,通过选件的灵活搭配组合实现相应的测试能力
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Ø 电压1200V(预留3000V的扩展选件)
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Ø PC为系统主控计算机
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Ø 电流300A(预留500A的扩展选件)
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Ø 测试结果可输出为EXCEL及文本格式
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Ø 时间测试精度:1.0ns
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Ø 每个功能单位均为独立封闭的个体功能区,无相互干扰,稳定性好
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Ø 主控计算机控制
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Ø 测试能力和信号源可实现升级扩展
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Ø 基于Labview的软件操作系统
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Ø 低电感跨接式电路结构,杂散电感小于100nh
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序号
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器件名称
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01
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IGBT
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绝缘栅双极大功率晶体管
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02
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MOSFET
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MOSC场效应管(N沟道P沟道)
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03
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FRD
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快恢复二极管
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开关特性
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栅电荷特性
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雪崩特性
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开通延迟td(on)
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阈值电荷Qg(th)
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单脉冲雪崩能量EAS
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关断延迟td(off)
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栅电荷Qg
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重复脉冲雪崩能量EAR
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上升时间tr
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栅源电荷Qgs
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单脉冲雪崩电流IAS
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下降时间tf
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栅漏电荷Qgd
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单脉冲雪崩功率PAS
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关断时间 toff
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平台电压VgP
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单脉冲雪崩能量EAS
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反向恢复特性
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短路特性
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浪涌电流
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反向恢复时间Trr
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短路电流Isc
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测试频次自动加载
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反向恢复电荷Qrr
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短路耐量Esc
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脉宽可调
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最大反向电流Irm
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短路时间Tsc
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峰值电流可达20KA
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等效电阻寄生电容
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功率循环
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静态参数
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等效电阻
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加热电流
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静态直流全参数
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输入电容Ciss
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循环次数
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包括漏电流、跨导
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输出电容Coss
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升温降温
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击穿电压、压降等
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反馈电容Crss
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功能单元
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参数指标
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基本参数
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功率源:1200V 300A
最小定时测量1.0ns
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开关特性
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脉宽:1.0µs~10µs、0.1µs的步径;
电流:1.0~50 A 分辨率0.2 A
50.5~100 A 分辨率 1.0 A
漏极电压: 5V - 1500V,0.1V的步径;
电感:0.1mH~159.9mH
栅极电流:峰值电流14A
栅极驱动:±20V 分辨率0.1V
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栅电荷
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栅极驱动 最低 0 - 2.0 mA 分辨率 0.01 mA
中间 2.0 - 20.0 mA 分辨率 0.1 mA
最高 20.0 - 200.0 mA 分辨率 1.0 mA
栅极电压 ±20 volts 分辨率 ±0.1 V
漏极电流(固态负载)1 - 25 A 分辨率 0.1 A
25 - 200 A 分辨率 0.5 A
最大电流下所有电压都不可用
漏极电压 25V - 1200V
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短路特性
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最大电流:1000A
脉冲时间:1us ~ 100us
栅极驱动:±20V 分辨率 0.1V
漏极电压:5V ~ 1200V,0.1V的步径
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反向恢复特性
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正向电流(IF):1.0 - 50 A @ 0.2 A
50.5 - 200 A @ 1.0 A(最大电流下所有电压不可用)
反向电流斜率(di/dt):1.0 - 600 A/µs,1.0A/ns 的步径
反向恢复电流(Irm):≤200A
占空比:< 0.1%
反向恢复时间(Trr):10 ns - 2.0 µs
电源电压(VDD):5V - 1200V,0.1V的步径
反向恢复电荷(Qrr):1 nC - 100 µC
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企业认证:
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主营产品: |
igbt测试仪,大功率半导体器件测试仪,IGBT测试系统,大功率半导体分立器件测试系统,高精度半导体分立器件测试仪 |
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