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雪崩耐量测试系统

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商品信息

 ENX2020雪崩耐量测试系统

系统概述:
    半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。
    雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量。但是,一些电源在输 出短路时,初级中会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些 电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。
该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理后,将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求,并预留电压电流扩展功能。
系统模块:
主控单元、电源模块、高压输出模块、电流输出模块、数据采集模块、驱动电路、保护电路
系统特征:
雪崩能量/电流超限提示、设备配有应急装置、可设置保护电压、可连接handler
测试结果保存为Excel、测试波形采集及显示、
规格/环境要求:
尺       寸:800x800x1800(mm)
质       量:210kg
环境湿度:15~40℃
工作电压:AC220V±10%无严重谐波
电网频率:50Hz±1Hz
大气压力:86Kpa~106Kpa
通信接口:USB  RS232
系统功耗:320W
功能指标:
配置
测试范围
测试参数
条件
范围
电压
1000V
IGBTs
绝缘栅双极型晶体管
EAS/单脉冲雪崩能量
VCE
20V~4500V
20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
电流
200A
MOSFETs
MOS场效应管
EAR/重复脉冲雪崩能量
Ic
1mA~200A
1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA
 
DIODEs
二极管
IAS/单脉冲雪崩电流
Ea
1J~2000J
1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J
 
 
PAS/单脉冲雪崩功率
IC检测
50mV/A(取决于传感器)
 
 
 
感性负载
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、
 
 
 
重复间隙时间
1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次