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ENX2020雪崩耐量测试系统
配置
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测试范围
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测试参数
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条件
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范围
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电压
1000V |
IGBTs
绝缘栅双极型晶体管 |
EAS/单脉冲雪崩能量
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VCE
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20V~4500V
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20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V |
电流
200A |
MOSFETs
MOS场效应管 |
EAR/重复脉冲雪崩能量
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Ic
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1mA~200A
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1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA 2A~200A±3%±50mA |
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DIODEs
二极管 |
IAS/单脉冲雪崩电流
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Ea
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1J~2000J
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1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J 500J~2000J±3%±10J |
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PAS/单脉冲雪崩功率
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IC检测
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50mV/A(取决于传感器)
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感性负载
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10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、
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重复间隙时间
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1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次
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联系人: | 李经理 在线咨询 |
企业认证:
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主营产品: |
igbt测试仪,大功率半导体器件测试仪,IGBT测试系统,大功率半导体分立器件测试系统,高精度半导体分立器件测试仪 |
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