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ENJ30200 IGBT静态参数测试仪
①栅极-发射极漏电流IGES
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④集电极-发射极截止电流ICES
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IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA
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集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA
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集电极电压VCE: 0V
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集电极电压VCE: 100-3500V±5%(选配)
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栅极电压 VGE: 20V ±3%±0.2V
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栅极电压VGE:0V
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②集电极-发射极电压BVCES
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⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH
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集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配)
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VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V
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集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA
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VGE=VCE
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栅极电压 VGE: 0V
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集电极电流ICE: 30mA±3%
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③集电极发射极饱和电压VCESAT
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⑥二极管压降测试VF
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VCESAT:0.1-10V
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VF: 0.1-5V±3%±0.01V
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栅极电压VGE:±15V±2%±0.2V
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栅极电压VGE:0V
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集电极电流ICE:50-600A±5%(选配)
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电流IF:50-600A±5%(选配)
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导通电流IC: 50-600A±5%
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栅极电压VGE: ±15V±0.2V
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igbt测试仪,大功率半导体器件测试仪,IGBT测试系统,大功率半导体分立器件测试系统,高精度半导体分立器件测试仪 |
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