IGBT模块等关键元器件采用国际顶级优质产品——牵引级IGBT模块，较普通的IGBT模块具有更高的耐压和抗冲击性，可靠性更高。保证RHVC产品的世界级优良品质。高品质的器件是高质量产品的基石。

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特点：混合集成型IGBT驱动器，可应用于任何需要栅极放大驱动的场合，通过高速光耦实现功率半导体器件与控制电路之间的安全电气隔离，开关频率高达20KHZ，内建短路保护与故障输出、过流故障时输出软关断及定

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BSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DLCKBSM100GAL120DN2BSM100GAL120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GAR120DN2BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCKBSM100GB120DN2BSM100GB120DN2KBSM100GB170DLCBSM100GB170DN2BSM100GB60DLCBSM100GD120DLCBSM100GD120DN2BSM100GD60DLCBSM100GP60BSM10GD120DN

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1MBH60D-1001MBI30L-0601MBI50L-0601MBI75L-060 1MBI100L-0601MBI150NH-0601MBI150NK-0601MBI200NH-0601MBI300L-0601MBI300N-0601MBI300F-0601MBI400F-0601MBI200NK-0601MBI400L-0601MBI400N-0601MBI600LP-0601MBI600LN-0601MBI600NP-0601MBI600NN-0601MBI200F-1201MB

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FS150R12KT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 150封装 EconoPack3电路结构 六单元性能概要：高功率密度成立的Econo模块概念集成温度传感器低杂散电感模块设计符合RoHS标准的组件优点：紧凑型模块优化客户的开发周期和成本配置灵活性目标应用：电机控制

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FF600R17ME4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 600Vces(V)1700封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要：采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTC电气特性：高电流密度低VceastTvjop=150℃Vceast带正温度系数机械特性：高功率密度绝缘

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FF1400R12IP4技术参数：Ic(A),Tc=80℃： 1400Vce(sat),Max(V)：2.05Ton(us)： 0.21Toff(us)： 0.97Rth(j-c),K/W： 0.0195Pc(W):7650封装: PrimePACK3电路结构: 半桥典型应用 辅助逆变器 大功率变流器 电机传动 牵引变流器 UPS系统 风力发电机 电气

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FF450R12KT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.062Pc(W) 2400封装 62mm电路结构 半桥性能概要：频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C（最大150C）降低了

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DIM500LSS065DIM250MHB06SDIM2000FSS06SDIM350MHB06SDIM400LSS12DIM200MHS12DIM800DDM12DIM400DDM12DIM400LSS17DIM200MHS17DIM400DDM17DIM200PHM33DIM800FSS17DIM800DDM17GP200MKS12GP200MLS12DIM400DCM17DIM600DCM175SHY35L4510DIM800DCM175SHY35L45115SHY35L45125SHX0

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