600V/650VIGBT模块产品型号 参数说明 GD50HFK60C1S 600V,50AGD600HFT65B3S 650V,600A,GD300MLT65B3ST 650V,300A,GD300MLT65B3ST 600V,300A, GD300MLT60B3ST 600V,300A,1200VIGBT模块产品型号 参数说明 GD150TLT120B3S 1200V,150A GD75HCU120B3S 1200V,75AGD50HCU120B3S 1200

CM400HA-12HCM100DY-24HCM600HA-12HCM150DY-24H CM200HA-24HCM200DY-24HCM300HA-24HCM300DY-24HCM400HA-24HCM75DY-28HCM600HA-24HCM100DY-28HCM1000HA-24HCM200DY-28HCM400HA-28HCM300DY-28H网库CM600HA-28HCM30TF-12HCM1000HA-28HCM50TF-12HCM400HA-34HCM75TF-12H

宏微IGBT模块MMG150HB060H6ENMMG100HB060H6EN宏微IGBT模块MMG75HB060H6ENMMG400HB060B6EN宏微IGBT模块MMG300HB060B6ENMMG200HB060B6EN宏微IGBT模块MMG150HB060B6ENMMG100HB060B6EN宏微IGBT模块MMG75HB060B6ENMMG600WB060B6EN宏微IGBT模块MMG450WB060B6ENMMG800K060U6EN宏微IGBT模块M

DIM800DCS12DIM800FSS12DIM1200FSS12DIM1600FSS12DIM400PBM17DIM400DCM17DIM600DCM17-ADIM800DCM17DIM400DDM17DIM600DDM17DIM200PKM33-FDIM200PLM33-FDIM400GCM33-FDTM300XCM45-FDIM400GDM33-FDIM100PHM33-FDIM200PHM33-F076DI

英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9西门子S120变频器配件IGBT模块驱动板电容PLC模块二极管IGBTIGBT是什么？IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率

SKIIP2403GB172-4DW西门康IGBT模块赛米控风电风电变流器变频器逆变器IGBT模块SKIIP2403GB172-4DW北京京诚宏泰科技有限公司销售风电变频器配件IGBT模块IPM模块可控硅晶闸管整流桥二极管电容PLC模块风机传感器电路板风电光伏新能源电厂逆变器变频器IGBT模块西门康IGBT模块SKIIP24

SKIIP2403GB172-4DFW西门康IGBT模块赛米控风电风电变流器变频器逆变器IGBT模块SKIIP2403GB172-4DFW北京京诚宏泰科技有限公司销售风电变频器配件IGBT模块IPM模块可控硅晶闸管整流桥二极管电容PLC模块风机传感器电路板风电光伏新能源电厂逆变器变频器IGBT模块西门康IGBT模块SKIIP

英飞凌IGBT模块FZ2400R17HP4_B9电厂西门子变频器西门子变频器配件FZ2400R17HP4_B9北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HP4_B9电厂西门子变频器IGBTIGBT是什么？IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式

英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4电厂西门子变频器西门子变频器配件6SY7000-0AD50北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4电厂西门子变频器IGBTIGBT是什么？IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导

核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_onoff/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）；雪崩能

核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_onoff/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）；雪崩能力

核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_onoff/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）；雪崩能

FF450R17ME4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.3Ton(us) 0.26Toff(us) 1.0Rth(j-c),K/W 0.06Pc(W) 2500封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要：DC/AC优化的热阻案件散热器最高的功率密度紧凑型逆变器设计优点：紧凑型模块容易和最可靠的组

FZ600R12KE4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) -Ton(us) -Toff(us) -Rth(j-c),K/W -Pc(W) -封装 62mm电路结构 半桥典型应用：大功率变流器电机传动UPS系统风力发电机电气特性：提高工作结温Tvjop低开关损耗坚固VCEsat带正温度系数

FF100R12RT4技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 100Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.15Toff(us) 0.4Rth(j-c),K/W 0.27Pc(W) 555封装 34mm电路结构 半桥性能概要：提高工作温度TVJop低开关损耗低V（CESAT）T（VJOP）=150℃V（CESAT）具有正温度系数隔离底板标准

FZ800R33KF2C技术参数：Ic(A),Tc=80℃ 800Vce(sat),Max(V) 4.25Ton(us) 0.28Toff(us) 1.55Rth(j-c),K/W 0.013Pc(W) 9600封装 IHV130mm电路结构 一单元性能概要：高可靠性和坚固的模块结构优点：紧凑型逆变器设计的高功率密度标准外形目标应用：电机控制

核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_onoff/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）；雪崩能

西安智盈电气科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试设备自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，核心业务为半导体功率器件测试设备的研制生产，公司产品主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（

英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；IPM模块产品参数：IHVB3300V1000A130mm单开关IGBT模块，具有第三代TRENCHSTOPIGBT、低开关损

SKIIP1803GB172-3DL西门康IGBT模块赛米控风电风电变流器变频器逆变器IGBT模块SKIIP1803GB172-3DL北京京诚宏泰科技有限公司销售风电变频器变流器逆变器整流器功率单元配件IGBT模块IPM模块可控硅晶闸管整流桥二极管电容PLC模块风机传感器电路板IGBT（InsulatedGateBipolarTra