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华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块,大功率IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的V-I特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,变频器,焊机行业的
我公司主要从事以IGBT为主的功率半导体芯片、模块、单管和电源模组的设计、研发、(代工)生产和销售工作。公司产品生产代工为国内一线功率半导体生产企业,核心团队在国际功率半导体领先企业工作多年,积累了丰富的专业经验和资源,深刻理解细分应用市场的生态体系、技术痛点、供应链挑战以及市场
我公司主要从事以IGBT为主的功率半导体芯片、模块、单管和电源模组的设计、研发、(代工)生产和销售工作。公司产品生产代工为国内一线功率半导体生产企业,核心团队在国际功率半导体领先企业工作多年,积累了丰富的专业经验和资源,深刻理解细分应用市场的生态体系、技术痛点、供应链挑战以及市场
igbt芯片封装袋超声波焊接成型封口机应用超声波使igbt芯片封装袋封口处经换能器作用产生冲击高热并迅速熔化至粘合。不需要加任何辅助品,封口速度快、质量好、外形美观,优点对化学药剂影响小不怕表面污染照样封尾,解决了使用粘合剂或热熔焊的缺点。工作频率:20KHz;功率:2000w;电子控制:
FF200R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 200Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.135Pc(W) 1100封装 62mm电路结构 半桥性能概要:频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C(最大150C)降低了
FF300R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 200Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.093Pc(W) 1600封装 62mm电路结构 半桥性能概要:频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C(最大150C)降低了
FF600R12ME4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 600Vce(sat),Max(V) 2.1Ton(us) 0.18Toff(us) 0.5Rth(j-c),K/W 0.041Pc(W) 3650封装 EconoDual3电路结构 半桥性能概要:低V(CESAT)T(VJOP)=150℃V(CESAT)具有正温度系数高功率密度隔离底板标准外形优点:
FF450R12KT4技术参数:Ic(A),Tc=80℃ 450Vce(sat),Max(V) 2.15Ton(us) 0.18Toff(us) 0.54Rth(j-c),K/W 0.062Pc(W) 2400封装 62mm电路结构 半桥性能概要:频率控制逆变器驱动器提供卓越的解决方案UL/CSA认证与UL1557E83336工作温度可达125C(最大150C)降低了
华科智源,致力于全球电力电子测试方案提供商,主要提供电力电子相关的大功率分立器件测试仪、IGBT测试仪、变流器IGBT测试仪,牵引系统IGBT测试仪,半导体参数图示仪、IGBT动态参数测试仪、MOS管动态参数测试仪、IPM测试仪、雪崩耐量测试仪、浪涌测试仪等功率半导体测试设备.华科智源大功率IGBT模块测
在线式IGBT测试仪-华科智源HUSTEC-1600A产品是主要针对半导体功率器件的静态参数测试而开发设计。通过DUT适配器的转换,可实现对各种封装形式的IGBTs,MOSFETs,DIODEs等半导体器件的静态电参数测试,包括器件、模块以及DBC衬板和晶圆。设备融入了自动化及智能化的设计理念及功能,支持批量上下料并
一、概述 大功率IGBT测试仪华科智源是可用于测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及二极管的VRRM、IRRM参数以及其它半导体器件的相关参数测试的专业设备。它的测试方法符合GB/JB/T7626-94标准。 该测试台具有漏电流自动保护功能,过电压自动保护功能。阻断电压和漏电流均采用数字表显示,读
IGBT动态参数测试仪-华科智源HUSTEC-2015功能介绍:1.IGBT动态参数测试仪-华科智源HUSTEC-2015能够对比不同的IGBT的参数;2.华科智源的IGBT双脉冲测试台能够用来评估IGBT驱动板的功能和性能;3.华科智源的IGBT双脉冲测试台能够获取IGBT在开通、关断过程的主要参数,以评估Rgon及Rgoff的数值
为德国英飞凌公司定制的tq、Qranddv/dt检测设备该测试设备适用于高电压,大电流的半导体器件测试,是**上同类产品的**高水平。该设备可以测试晶闸管、整流管关断时间tq、反向恢复时间Qr、电压上升率dv/dt、自动热稳态压力实具。晶闸管、整流管是**传统、**常见的电力半导体器件,我公司研制开
为国家电网定制-IGBT静态参数测试系统一、西安精华伟业IGBT静态测试系统概述IGBT静态测试参数系统采用计算机控制系统用来发送运行指令以及采集测试数据,然后进行计算处理并显示测试结果;PLC控制系统在接到计算机发出的运行指令后控制断开相关的安全控制开关后,并控制测试夹具和安全门动作之后发
主要参数及特点:西安精华伟业-IGBT动态参数测试台*IGBT动态测试设备系统概述IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半号体开关器件,其开关特性装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有板其重要的实际意义。
为国家电网定制-IGBT动态参数测试系统一、西安精华伟业IGBT动态测试系统概述IGBT动态测试参数系统采用计算机控制系统用来发送运行指令以及采集测试数据,然后进行计算处理并显示测试结果;PLC控制系统在接到计算机发出的运行指令后控制断开相关的安全控制开关后,并控制测试夹具和安全门动作之后发
主要参数及特点*IGBT功率循环试验台概述该系统是一套动态综合测试系统,测试参数多、精度高、贝有过流、过热、水压不足等保护功能。具有连续工作的特点,测试程序由计算机控制,程序设定完成后可自动测试,系统采用内控和外控两种方式,便于工作人员操作。测试方法符合GB/T29332-2012/lEC60747-
u主要参数及特点:u*IGBT静态测试设备特征u针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统u大功率(IV**可主广展至4500A、6000V)u自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)u计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEl格式存储u采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等
EUPEC可控硅,晶闸管北京北整科瑞电器公司电话010-65403561传真010-65403562T1218N20TOFT1218N22TOFT1218N24TOFT1218N26TOFT1218N28TOFT1219N20TOFT1219N22TOFT1219N24TOFT1219N26TOFT1219N28TOFT1329N18TO